RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16SA/8G 8GB
Compara
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB vs Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16SA/8G 8GB
Puntuación global
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Puntuación global
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16SA/8G 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16SA/8G 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.8
13.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.6
8.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16SA/8G 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
28
28
Velocidad de lectura, GB/s
13.3
18.8
Velocidad de escritura, GB/s
8.5
15.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2213
3465
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16SA/8G 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMK16GX4M2E4333C19 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Kingston 9965745-002.A00G 16GB
Kingston 9965745-002.A00G 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266681 4GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Corsair CM4X4GF2666C16K4 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 9965684-005.A00G 8GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FAD 16GB
Kingston HX424C15FB/16 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMK16GX4M2Z2933C16 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Asgard VMA42UG-MEC1U2AW1 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Corsair CMW64GX4M4Z2933C16 16GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FG 4GB
Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB
Kingston 9905678-121.A00G 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link