RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16SA/8G 8GB
Comparar
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB vs Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16SA/8G 8GB
Pontuação geral
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Pontuação geral
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16SA/8G 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16SA/8G 8GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18.8
13.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
15.6
8.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
10600
Por volta de 2.01 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16SA/8G 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
28
28
Velocidade de leitura, GB/s
13.3
18.8
Velocidade de escrita, GB/s
8.5
15.6
Largura de banda de memória, mbps
10600
21300
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2213
3465
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB Comparações de RAM
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16SA/8G 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Transcend Information JM3200HLG-8G 8GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240082 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Ramaxel Technology RMUA5210ME88HCF-3200 32GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-DA---------- 4GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FE 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CMK64GX4M8X4200C19 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston HP26D4U9S8ME-8X 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBD 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0B 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BZ4SHD 8GB
Kingston 99U5471-025.A00LF 4GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link