RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Compara
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB vs Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Puntuación global
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Puntuación global
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
39
En 31% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.1
13.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.9
8.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
10600
En 2.42 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
39
Velocidad de lectura, GB/s
13.2
16.1
Velocidad de escritura, GB/s
8.6
11.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
25600
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2196
2782
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/8G 8GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 9905702-082.A00G 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZN 32GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSK 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Apacer Technology 78.CAGR4.40C0B 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6D1 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M16FE 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Kingston 9905713-008.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Hewlett-Packard 48U45AA# 16GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link