RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Compara
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Puntuación global
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Puntuación global
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
18
27
En -50% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
20.2
13.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
16.2
8.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
18
Velocidad de lectura, GB/s
13.2
20.2
Velocidad de escritura, GB/s
8.6
16.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2196
3536
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/8G 8GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Kingston 9905702-029.A00G 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Avant Technology J642GU42J7240N2 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRS 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Kingston X75V1H-MIE 32GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADG 4GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-3200 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHMB 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Corsair CMW16GX4M2C3600C18 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link