RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-3200 16GB
Compara
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-3200 16GB
Puntuación global
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Puntuación global
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-3200 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-3200 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
51
En -76% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.2
9.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.7
8.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
12800
En 2 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-3200 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
51
29
Velocidad de lectura, GB/s
9.8
17.2
Velocidad de escritura, GB/s
8.1
15.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
25600
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2208
3546
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Comparaciones de la memoria RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-3200 16GB Comparaciones de la memoria RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240041 4GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FE 16GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Corsair CMK32GX4M4A2666C15 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Corsair CM4X8GE2400C16K4 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FADG 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMR16GX4M2C3466C16 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZA 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Transcend Information JM3200HLE-16G 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Mushkin MR[A/B]4U360JNNM8G 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link