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Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
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Kingston 9965525-140.A00LF 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Puntuación global
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
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Razones a tener en cuenta
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
30
En -3% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.6
9.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.9
6.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
30
29
Velocidad de lectura, GB/s
9.8
13.6
Velocidad de escritura, GB/s
6.4
9.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1927
2419
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston ACR16D3LFS1KBG/2G 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVR 16GB
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SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMT32GX4M2E3200C16 16GB
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