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Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Confronto
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Punteggio complessivo
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
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Motivi da considerare
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
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Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
29
30
Intorno -3% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
13.6
9.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.9
6.4
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
30
29
Velocità di lettura, GB/s
9.8
13.6
Velocità di scrittura, GB/s
6.4
9.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1927
2419
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB Confronto tra le RAM
Super Talent SUPERTALENT 2GB
SK Hynix HMT351S6CFR8A-PB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N-TF 16GB Confronto tra le RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTRS 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB
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