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Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Compara
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB vs Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Puntuación global
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Puntuación global
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
34
En 12% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.6
9.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.2
6.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
30
34
Velocidad de lectura, GB/s
9.8
15.6
Velocidad de escritura, GB/s
6.4
11.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1927
2468
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
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Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston KHX2133C13D4/8GX 8GB
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