RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB
Compara
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB
Puntuación global
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Puntuación global
Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
16.4
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
58
En -152% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.4
1,950.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
6400
En 3.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
58
23
Velocidad de lectura, GB/s
4,241.0
16.4
Velocidad de escritura, GB/s
1,950.7
14.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
21300
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
651
2978
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston KF2666C16D4/16G 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681S 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBR 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston CBD24D4U7S8MA-8 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FD 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 9905702-071.A00G 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston KHX1600C10D3/8G 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Corsair CMSX16GX4M1A2400C16 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKW 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link