RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
Compara
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB vs G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
Puntuación global
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
18
70
En -289% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
19.9
6.5
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.3
4.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
70
18
Velocidad de lectura, GB/s
6.5
19.9
Velocidad de escritura, GB/s
4.6
15.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1264
3421
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 9965525-153.A00LF 8GB
Ramaxel Technology RMUA5210ME88HCF-3200 32GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB Comparaciones de la memoria RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Teikon TMA41GU6AFR8N-TFSC 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVK 16GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMWX8GD3000C15W4 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Kingston 9965662-015.A00G 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Corsair CMWX8GD3200C16W4 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FD 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Corsair CMK32GX4M2L3000C15 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link