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SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB
Compara
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB vs Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB
Puntuación global
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Puntuación global
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
2
19.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,978.2
16.0
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
66
En -144% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
6400
En 3 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
66
27
Velocidad de lectura, GB/s
2,929.1
19.6
Velocidad de escritura, GB/s
2,978.2
16.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
19200
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
511
3909
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB Comparaciones de la memoria RAM
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Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905469-124.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G30C15U4WL.M16FE 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BPGS 8GB
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