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SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB
Confronto
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB vs Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Punteggio complessivo
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
2
19.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,978.2
16.0
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
27
66
Intorno -144% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
6400
Intorno 3 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
66
27
Velocità di lettura, GB/s
2,929.1
19.6
Velocità di scrittura, GB/s
2,978.2
16.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
19200
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
511
3909
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB Confronto tra le RAM
OCZ OCZ2SOE800URB1G 1GB
Kingston 9905295-025.B00LF 1GB
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
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Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTZRC 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE1 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
Kingston 9965516-049.A00LF 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 16GB 16G
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