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Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
Compara
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB vs Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
Puntuación global
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Puntuación global
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
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Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
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Razones a tener en cuenta
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
34
70
En -106% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.3
6.5
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.9
4.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
70
34
Velocidad de lectura, GB/s
6.5
14.3
Velocidad de escritura, GB/s
4.6
10.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1264
2201
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Mushkin 99[2/7/4]183 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CTCT 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMK16GX4M2L3200C16 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-2133 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRK 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
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