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Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
比较
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB vs Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
总分
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
总分
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
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Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
34
70
左右 -106% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.3
6.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.9
4.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
70
34
读取速度,GB/s
6.5
14.3
写入速度,GB/s
4.6
10.9
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1264
2201
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2666C15-8GVR 8GB
Avant Technology W641GU42J7240NC 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBR 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
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Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Corsair CMWX16GC3600C18W2D 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Avant Technology W6451U66J7240ND 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3300C16 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston KHYXPX-MID 8GB
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