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Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
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Kingston 9965525-144.A00LF 8GB vs Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Puntuación global
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Puntuación global
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
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Razones a tener en cuenta
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
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Razones a tener en cuenta
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
70
En -150% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
12.2
6.5
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.3
4.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
70
28
Velocidad de lectura, GB/s
6.5
12.2
Velocidad de escritura, GB/s
4.6
9.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1264
2382
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SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-3200C22-32GRS 32GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Corsair CM4X8GD3000C15K4 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMD64GX4M4B3333C16 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Golden Empire CL17-17-17 D4-2400 16GB
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