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Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Compara
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB vs Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Puntuación global
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Puntuación global
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
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Razones a tener en cuenta
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
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Razones a tener en cuenta
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
46
70
En -52% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16
6.5
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.4
4.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
12800
En 2 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
70
46
Velocidad de lectura, GB/s
6.5
16.0
Velocidad de escritura, GB/s
4.6
12.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
25600
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1264
2660
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology DDR4 4133 2OZ 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
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Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8G
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4500 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston 9905711-017.A00G 4GB
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