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Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Compara
Kingston 9965662-016.A00G 16GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Puntuación global
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Puntuación global
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
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Razones a tener en cuenta
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
18
39
En -117% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
20.5
7.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
16.2
7.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
17000
En 1.13 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
39
18
Velocidad de lectura, GB/s
7.9
20.5
Velocidad de escritura, GB/s
7.8
16.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
17000
19200
Other
Descripción
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1939
3564
Kingston 9965662-016.A00G 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Kingston KKN2NM-MIE 4GB
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Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
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