RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Сравнить
Kingston 9965662-016.A00G 16GB против Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
-->
Средняя оценка
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Средняя оценка
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
18
39
Около -117% меньшая задержка
Выше скорость чтения
20.5
7.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.2
7.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
39
18
Скорость чтения, Гб/сек
7.9
20.5
Скорость записи, Гб/сек
7.8
16.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
17000
19200
Other
Описание
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1939
3564
Kingston 9965662-016.A00G 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston 9905701-020.A00G 16GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
SK Hynix HMA84GR7JJR4N-VK 32GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Apacer Technology 78.DAGP2.4030B 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Ramaxel Technology RMUA5090KE68H9F2133 4GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.M16FB 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVR 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link