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Kingston 99P5471-004.A01LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Compara
Kingston 99P5471-004.A01LF 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Puntuación global
Kingston 99P5471-004.A01LF 4GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston 99P5471-004.A01LF 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
29
En 14% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.4
12.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.0
7.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
12800
10600
En 1.21 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 99P5471-004.A01LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR3
Latencia en PassMark, ns
25
29
Velocidad de lectura, GB/s
12.8
13.4
Velocidad de escritura, GB/s
7.7
9.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
12800
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2143
2423
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
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G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB
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