RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB
SK Hynix GKE800SO51208-2133AH 8GB
Compara
Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB vs SK Hynix GKE800SO51208-2133AH 8GB
Puntuación global
Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB
Puntuación global
SK Hynix GKE800SO51208-2133AH 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
14
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
SK Hynix GKE800SO51208-2133AH 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
44
En -69% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.4
1,769.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB
SK Hynix GKE800SO51208-2133AH 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
44
26
Velocidad de lectura, GB/s
4,482.7
14.0
Velocidad de escritura, GB/s
1,769.9
8.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
525
2163
Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 99U5316-028.A00LF 1GB
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
SK Hynix GKE800SO51208-2133AH 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Kingston CBD26D4S9D8ME-16 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR1 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFST.16FD 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMSX64GX4M4A2666C18 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMD64GX4M4B3000C15 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CMK128GX4M4A2400C16 32GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GDBVR 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CM4X16GC3000C15D4 16GB
Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C15 Series 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link