RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5402-464.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDR 16GB
Compara
Kingston 99U5402-464.A00LF 4GB vs Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDR 16GB
Puntuación global
Kingston 99U5402-464.A00LF 4GB
Puntuación global
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDR 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston 99U5402-464.A00LF 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
34
En 15% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDR 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.8
12.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.3
7.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 99U5402-464.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDR 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
29
34
Velocidad de lectura, GB/s
12.2
14.8
Velocidad de escritura, GB/s
7.4
11.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2024
2826
Kingston 99U5402-464.A00LF 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BZISHC 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDR 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Kingston MSISID4S9S8ME-8 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Kingston 99U5402-464.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDR 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
ISD Technology Limited IM44GU48A30-GIIHM 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GVK 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Kingston 9965589-008.D02G 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
Corsair VS2GB1333D4 2GB
Kingmax Semiconductor GSLF62F-D8---------- 4GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Kingston KY7N41-MID 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FB 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Smart Modular SMS4TDC8C1K0446FCG 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link