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Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Compara
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB vs SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Puntuación global
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Puntuación global
SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
47
55
En 15% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
12.2
10
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.2
7.8
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB
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Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
47
55
Velocidad de lectura, GB/s
12.2
10.0
Velocidad de escritura, GB/s
8.2
7.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2128
2232
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZN 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZKW 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GTZRX 8GB
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