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Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Compara
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB vs Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Puntuación global
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Puntuación global
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
12.5
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
50
75
En -50% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.3
2,036.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
6400
En 3.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
75
50
Velocidad de lectura, GB/s
3,986.4
12.5
Velocidad de escritura, GB/s
2,036.1
7.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
21300
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
714
2326
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
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Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Kingston ACR16D3LFS1KBG/2G 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
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