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Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Comparar
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB vs Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Pontuação geral
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Pontuação geral
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
12.5
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
50
75
Por volta de -50% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
7.3
2,036.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
6400
Por volta de 3.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
75
50
Velocidade de leitura, GB/s
3,986.4
12.5
Velocidade de escrita, GB/s
2,036.1
7.3
Largura de banda de memória, mbps
6400
21300
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
714
2326
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB Comparações de RAM
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology CT32G4DFD832A.C16FE 32GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZKW 8GB
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