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Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
SK Hynix HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Compara
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB vs SK Hynix HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Puntuación global
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Puntuación global
SK Hynix HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
13.3
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
39
75
En -92% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.4
2,036.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
SK Hynix HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
75
39
Velocidad de lectura, GB/s
3,986.4
13.3
Velocidad de escritura, GB/s
2,036.1
9.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
714
2419
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
SK Hynix HMA82GS6MFR8N-TF 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston 9905625-062.A00G 8GB
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