SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB

SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB vs Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB

Puntuación global
star star star star star
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB

SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB

Puntuación global
star star star star star
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB

Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB

Diferencias

  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    5 left arrow 16.1
    Valor medio en las pruebas
  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    23 left arrow 60
    En -161% menor latencia
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    9.9 left arrow 2,381.6
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
    19200 left arrow 6400
    En 3 mayor ancho de banda

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR2 left arrow DDR4
  • Latencia en PassMark, ns
    60 left arrow 23
  • Velocidad de lectura, GB/s
    5,082.2 left arrow 16.1
  • Velocidad de escritura, GB/s
    2,381.6 left arrow 9.9
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    6400 left arrow 19200
Other
  • Descripción
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    925 left arrow 2591
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Últimas comparaciones