RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Compara
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Puntuación global
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
72
En -140% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
10
4.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.5
2.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
72
30
Velocidad de lectura, GB/s
4.9
10.0
Velocidad de escritura, GB/s
2.9
8.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
776
2234
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 99U5316-033.A00LF 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FHP 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-TF 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Kingston 9905402-665.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Essencore Limited KD4AGS88C-32N220D 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 99U5702-025.A00G 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M393A2G40DB0-CPB 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FHP 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
EVGA 8GX-D4-3200-MR 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMW256GX4M8E3200C16 32GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Golden Empire CL19-25-25 D4-4000 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link