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Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB
Compara
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB
Puntuación global
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Puntuación global
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB
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Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
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Razones a tener en cuenta
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
42
En -50% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.1
12.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.8
8.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
42
28
Velocidad de lectura, GB/s
12.8
18.1
Velocidad de escritura, GB/s
8.3
14.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2095
3564
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 9905402-664.A00LF 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB Comparaciones de la memoria RAM
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-VK 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Smart Modular SF464128CKHIWDFSEG 4GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Apacer Technology 78.B1GM3.C7W0B 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C14 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Essencore Limited IM48GU48N24-FFFHM 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FA 8GB
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