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Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Compara
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Puntuación global
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
12.8
10
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.1
7.0
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
35
42
En -20% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
42
35
Velocidad de lectura, GB/s
12.8
10.0
Velocidad de escritura, GB/s
8.1
7.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2123
2068
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3600C15-8GTZ 8GB
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DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
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