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Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB
Compara
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB vs SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB
Puntuación global
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Puntuación global
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
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Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
42
En -83% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.2
12.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.8
8.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
42
23
Velocidad de lectura, GB/s
12.8
16.2
Velocidad de escritura, GB/s
8.1
8.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2123
2442
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Team Group Inc. ECC-DDR3-1600 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB
Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB
Corsair CMD128GX4M8B2800C14 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESC.M16FE 16GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
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