Comparación de la memoria RAM Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Team Group Inc. ECC-DDR3-1600 4GB

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Team Group Inc. ECC-DDR3-1600 4GB

Puntuación global

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

Puntuación global

Diferencias Especificaciones Comentarios

Razones a tener en cuenta
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns

33 69

En 52% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s

17.6 5.6

Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s

12.0 3.0

Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps

25600 12800

En 2% mayor ancho de banda

Razones a tener en cuenta
Team Group Inc. ECC-DDR3-1600 4GB

Lista completa de especificaciones técnicas

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

Team Group Inc. ECC-DDR3-1600 4GB

Principales características

Other

Descripción

PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24 PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Tiempos / Velocidad del reloj

20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz 9-9-9-24 / 1600 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)

2910 912

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns