Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Team Group Inc. ECC-DDR3-1600 4GB

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Team Group Inc. ECC-DDR3-1600 4GB

Punteggio complessivo
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Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

Punteggio complessivo
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Team Group Inc. ECC-DDR3-1600 4GB

Team Group Inc. ECC-DDR3-1600 4GB

Differenze

  • Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
    33 left arrow 69
    Intorno 52% latenza inferiore
  • Velocità di lettura più elevata, GB/s
    17.6 left arrow 5.6
    Valore medio nei test
  • Velocità di scrittura più elevata, GB/s
    12.0 left arrow 3.0
    Valore medio nei test
  • Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
    25600 left arrow 12800
    Intorno 2% larghezza di banda superiore

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Team Group Inc. ECC-DDR3-1600 4GB
Caratteristiche principali
  • Tipo di memoria
    DDR4 left arrow DDR3
  • Latenza in PassMark, ns
    33 left arrow 69
  • Velocità di lettura, GB/s
    17.6 left arrow 5.6
  • Velocità di scrittura, GB/s
    12.0 left arrow 3.0
  • Larghezza di banda della memoria, mbps
    25600 left arrow 12800
Other
  • Descrizione
    PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24 left arrow PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
  • Temporizzazioni / Velocità di clock
    20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz left arrow 9-9-9-24 / 1600 MHz
  • Classifica PassMark (più sono, meglio è)
    2910 left arrow 912
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