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Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Team Group Inc. ECC-DDR3-1600 4GB
比較する
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Team Group Inc. ECC-DDR3-1600 4GB
総合得点
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
総合得点
Team Group Inc. ECC-DDR3-1600 4GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
33
69
周辺 52% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
17.6
5.6
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
12.0
3.0
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
25600
12800
周辺 2% 高帯域
考慮すべき理由
Team Group Inc. ECC-DDR3-1600 4GB
バグを報告する
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Team Group Inc. ECC-DDR3-1600 4GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR4
DDR3
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
33
69
読み出し速度、GB/s
17.6
5.6
書き込み速度、GB/秒
12.0
3.0
メモリ帯域幅、mbps
25600
12800
Other
商品説明
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
タイミング / クロック速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2910
912
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB RAMの比較
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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