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Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Team Group Inc. ECC-DDR3-1600 4GB

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Team Group Inc. ECC-DDR3-1600 4GB

総合得点
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Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

総合得点
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Team Group Inc. ECC-DDR3-1600 4GB

Team Group Inc. ECC-DDR3-1600 4GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB 考慮すべき理由
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    33 left arrow 69
    周辺 52% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    17.6 left arrow 5.6
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    12.0 left arrow 3.0
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    25600 left arrow 12800
    周辺 2% 高帯域
Team Group Inc. ECC-DDR3-1600 4GB 考慮すべき理由
Team Group Inc. ECC-DDR3-1600 4GB
バグを報告する

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Team Group Inc. ECC-DDR3-1600 4GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR4 left arrow DDR3
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    33 left arrow 69
  • 読み出し速度、GB/s
    17.6 left arrow 5.6
  • 書き込み速度、GB/秒
    12.0 left arrow 3.0
  • メモリ帯域幅、mbps
    25600 left arrow 12800
Other
  • 商品説明
    PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24 left arrow PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
  • タイミング / クロック速度
    20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz left arrow 9-9-9-24 / 1600 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2910 left arrow 912

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