RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Team Group Inc. ECC-DDR3-1600 4GB
Porównaj
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Team Group Inc. ECC-DDR3-1600 4GB
Wynik ogólny
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Wynik ogólny
Team Group Inc. ECC-DDR3-1600 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
69
Wokół strony 52% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.6
5.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.0
3.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
12800
Wokół strony 2% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Team Group Inc. ECC-DDR3-1600 4GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Team Group Inc. ECC-DDR3-1600 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR3
Opóźnienie w PassMark, ns
33
69
Prędkość odczytu, GB/s
17.6
5.6
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
3.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
12800
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2910
912
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Team Group Inc. ECC-DDR3-1600 4GB Porównanie pamięci RAM
V-Color Technology Inc. TL48G30S816KRGB 8GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Smart Modular SF4721G8CKHH6DFSDS 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15/8G 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston 9905734-003.A00G 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Kingston 9932291-002.A00G 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Kingston KHX3200C16D4/32GX 32GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
A-DATA Technology DDR4 3000 8GB
Kingston 9905403-434.A00LF 4GB
Corsair CMW16GX4M2K4266C19 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
SK Hynix HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link