RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZRX 8GB
Porównaj
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs G Skill Intl F4-2400C15-8GTZRX 8GB
Wynik ogólny
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZRX 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
17.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
870.4
12.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZRX 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
87
Wokół strony -295% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZRX 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
87
22
Prędkość odczytu, GB/s
3,155.6
17.4
Prędkość zapisu, GB/s
870.4
12.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
417
3135
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZRX 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZRX 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CMW64GX4M4A2666C16 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FH 16GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.8FE 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CM4X4GF2133C15S2 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9905712-048.A00G 16GB
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBR2 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link