RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
Porównaj
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
Wynik ogólny
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.2
13.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
40
43
Wokół strony -8% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.7
9.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
43
40
Prędkość odczytu, GB/s
13.2
13.1
Prędkość zapisu, GB/s
9.3
9.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2285
2204
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-1600C11-8GISL 8GB
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZRX 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CMW64GX4M4A2666C16 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FH 16GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.8FE 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CM4X4GF2133C15S2 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9905712-048.A00G 16GB
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBR2 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link