RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5471-025.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
Compara
Kingston 99U5471-025.A00LF 4GB vs Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
Puntuación global
Kingston 99U5471-025.A00LF 4GB
Puntuación global
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston 99U5471-025.A00LF 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
35
En 26% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.3
12.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.0
7.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 99U5471-025.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
26
35
Velocidad de lectura, GB/s
12.7
15.3
Velocidad de escritura, GB/s
7.9
10.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2118
2559
Kingston 99U5471-025.A00LF 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 99U5458-005.A01LF 4GB
Kingston 99U5458-005.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Kingston 99U5471-025.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
ACPI Digital Co. Ltd. CMA6-4FA01AAR01A00 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FDD 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C14 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Corsair CMT16GX4M2Z3200C16 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Asgard VMA45UG-MIC1U22T2 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Corsair CMW32GX4M2C3000C15 16GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Corsair CM4X16GE2666C16K8 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Apacer Technology 78.C1GS7.DFW0C 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link