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Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
Compara
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
Puntuación global
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
32
En 13% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
12.9
10.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.0
8.3
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
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Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
28
32
Velocidad de lectura, GB/s
12.9
10.9
Velocidad de escritura, GB/s
9.0
8.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2112
2370
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
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Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Kingston 9905712-008.A00G 16GB
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DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston 9905678-177.A00G 8GB
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