RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
Confronto
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
32
Intorno 13% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
12.9
10.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.0
8.3
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
Segnala un bug
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
28
32
Velocità di lettura, GB/s
12.9
10.9
Velocità di scrittura, GB/s
9.0
8.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2112
2370
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Confronto tra le RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB Confronto tra le RAM
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9905663-006.A00G 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CM4B8G2J2133A15S 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston KHX2666C13/16GX 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston X74R9W-MIE 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTXG 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXWB 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Kingston 9905744-027.A00G 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CM4X8GF2666C18S2 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GVR 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Corsair CMR128GX4M8X3800C19 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link