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Kingston 99U5471-025.A00LF 4GB
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB

Kingston 99U5471-025.A00LF 4GB vs Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB

Puntuación global
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Kingston 99U5471-025.A00LF 4GB

Kingston 99U5471-025.A00LF 4GB

Puntuación global
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Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB

Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB

Diferencias Especificaciones Comentarios

Diferencias

Kingston 99U5471-025.A00LF 4GB Razones a tener en cuenta
Kingston 99U5471-025.A00LF 4GB
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  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    26 left arrow 41
    En 37% menor latencia
  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    12.7 left arrow 11.1
    Valor medio en las pruebas
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
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  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    8.2 left arrow 7.9
    Valor medio en las pruebas

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 99U5471-025.A00LF 4GB
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR3 left arrow DDR3
  • Latencia en PassMark, ns
    26 left arrow 41
  • Velocidad de lectura, GB/s
    12.7 left arrow 11.1
  • Velocidad de escritura, GB/s
    7.9 left arrow 8.2
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    10600 left arrow 10600
Other
  • Descripción
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 7-7-7-20 / 1333 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    2118 left arrow 1348

Kingston 99U5471-025.A00LF 4GB Comparaciones de la memoria RAM

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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
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Hewlett-Packard 7EH99AA# 16GB
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Memoria RAM
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
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AMD R948G3206U2S 8GB
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Memoria RAM
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
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SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
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Memoria RAM
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Kingston CBD26D4U9S8MH-8 8GB
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Memoria RAM
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
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Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
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Memoria RAM
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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
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