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Kingston 99U5471-025.A00LF 4GB
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
比较
Kingston 99U5471-025.A00LF 4GB vs Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
总分
Kingston 99U5471-025.A00LF 4GB
总分
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 99U5471-025.A00LF 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
41
左右 37% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
12.7
11.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
8.2
7.9
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Kingston 99U5471-025.A00LF 4GB
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR3
PassMark中的延时,ns
26
41
读取速度,GB/s
12.7
11.1
写入速度,GB/s
7.9
8.2
内存带宽,mbps
10600
10600
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
排名PassMark (越多越好)
2118
1348
Kingston 99U5471-025.A00LF 4GB RAM的比较
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Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB RAM的比较
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Elpida EBJ21UE8BFU0-DJ-F 2GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kingston MSI24D4S7S8MH-8 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3733 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston KF3600C18D4/32GX 32GB
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