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Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
Compara
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB vs InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
Puntuación global
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Puntuación global
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
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Razones a tener en cuenta
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
32
40
En -25% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16
12.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.5
7.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
40
32
Velocidad de lectura, GB/s
12.7
16.0
Velocidad de escritura, GB/s
7.5
10.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2201
2714
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 99U5403-124.A00LF 8GB
Kingston 9905584-015.A00LF 4GB
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB
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