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Kingston 99U5471-033.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6EFR8C-PB 4GB
Compara
Kingston 99U5471-033.A00LF 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6EFR8C-PB 4GB
Puntuación global
Kingston 99U5471-033.A00LF 4GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6EFR8C-PB 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston 99U5471-033.A00LF 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
27
En 4% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.2
13.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.5
8.9
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6EFR8C-PB 4GB
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Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 99U5471-033.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6EFR8C-PB 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR3
Latencia en PassMark, ns
26
27
Velocidad de lectura, GB/s
14.2
13.2
Velocidad de escritura, GB/s
9.5
8.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
12800
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2312
2245
Kingston 99U5471-033.A00LF 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6EFR8C-PB 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
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