RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5471-033.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6EFR8C-PB 4GB
Compara
Kingston 99U5471-033.A00LF 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6EFR8C-PB 4GB
Puntuación global
Kingston 99U5471-033.A00LF 4GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6EFR8C-PB 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston 99U5471-033.A00LF 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
27
En 4% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.2
13.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.5
8.9
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6EFR8C-PB 4GB
Informar de un error
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 99U5471-033.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6EFR8C-PB 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR3
Latencia en PassMark, ns
26
27
Velocidad de lectura, GB/s
14.2
13.2
Velocidad de escritura, GB/s
9.5
8.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
12800
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2312
2245
Kingston 99U5471-033.A00LF 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 9905712-035.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6EFR8C-PB 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M378B5173QH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Essencore Limited IM44GU48N21-FFFHM 4GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingmax Semiconductor GLLG43F-D8KBGA------ 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 8GB 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 8GB 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZR 8GB
Kingston 99U5471-033.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6EFR8C
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZN 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZR 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BUYS 4GB
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
SK Hynix HMA451U7MFR8N-TF 4GB
‹
›
Informar de un error
×
Bug description
Source link