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Kingston 99U5471-033.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6EFR8C-PB 4GB
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Kingston 99U5471-033.A00LF 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6EFR8C-PB 4GB
Pontuação geral
Kingston 99U5471-033.A00LF 4GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6EFR8C-PB 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Kingston 99U5471-033.A00LF 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
27
Por volta de 4% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.2
13.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.5
8.9
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6EFR8C-PB 4GB
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Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Kingston 99U5471-033.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6EFR8C-PB 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR3
Latência em PassMark, ns
26
27
Velocidade de leitura, GB/s
14.2
13.2
Velocidade de escrita, GB/s
9.5
8.9
Largura de banda de memória, mbps
12800
12800
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2312
2245
Kingston 99U5471-033.A00LF 4GB Comparações de RAM
Kingston 9905712-035.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6EFR8C-PB 4GB Comparações de RAM
Samsung M378B5173QH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFDFD4A.M16FH 16GB
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