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Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Compara
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB vs Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Puntuación global
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Puntuación global
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
41
71
En 42% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.6
6.4
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.6
13.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
41
71
Velocidad de lectura, GB/s
13.3
15.6
Velocidad de escritura, GB/s
8.6
6.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2292
1650
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
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Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
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SK Hynix HMA81GS6CJRJR-VK 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMW32GX4M2Z2933C16 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Mushkin MRA4S266GHHF32G 32GB
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