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Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
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Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB vs Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Pontuação geral
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Pontuação geral
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
41
71
Por volta de 42% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.6
6.4
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.6
13.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
12800
Por volta de 1.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
41
71
Velocidade de leitura, GB/s
13.3
15.6
Velocidade de escrita, GB/s
8.6
6.4
Largura de banda de memória, mbps
12800
21300
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2292
1650
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB Comparações de RAM
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Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB Comparações de RAM
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965640-008.A01G 32GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Apacer Technology 78.D2GG7.AU30B 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVK 16GB
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