RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
Compara
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB vs Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
Puntuación global
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Puntuación global
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
26
En 4% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.9
13.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.1
7.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
25
26
Velocidad de lectura, GB/s
13.8
15.9
Velocidad de escritura, GB/s
7.8
11.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1995
2855
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Kingston 99U5474-016.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair MK16GX4M2B3200C16 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2133-F 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 16GB 16G
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Kingston MSI24D4S7S8S8-8 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GVK 16GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Corsair CM4X8GF2666C16K8 8GB
G Skill Intl F5-6000J3636F16G 16GB
Kingston 9905701-022.A00G 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston XN205T-MIE2 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR36C18S8K2HU416R 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N
Informar de un error
×
Bug description
Source link