RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB
Compara
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB vs G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB
Puntuación global
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
22
27
En -23% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.9
10
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.8
5.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
22
Velocidad de lectura, GB/s
10.0
17.9
Velocidad de escritura, GB/s
5.7
13.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1435
3297
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology CT25664BD160BJ.C4F 2GB
Kingston 9905678-043.A00G 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston 9905625-096.A00G 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
EXCELERAM EKBLACK4163016AD 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Kingston 9905625-011.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8G
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.8FE 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link