RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB vs Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Puntuación global
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
44
En 36% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
13
11.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.2
7.9
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR3
Latencia en PassMark, ns
28
44
Velocidad de lectura, GB/s
11.8
13.0
Velocidad de escritura, GB/s
7.9
8.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
12800
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1920
2069
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB Comparaciones de la memoria RAM
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19/16G 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZN 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BL16G32C16S4B.8FB 16GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kllisre M471A3243BB0-CP50 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.CAGRN.40C0B 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Essencore Limited IM48GU88N21-FFFHM 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Samsung M378A4G43AB2-CVF 32GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Ramaxel Technology RMSA3260MB78HAF2400 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CM4X16GE2666C16K8 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMK16GX4M1E3200C16 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 9905678-043.A00G 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link