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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB vs Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Pontuação geral
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
44
Por volta de 36% menor latência
Razões a considerar
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
13
11.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.2
7.9
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR3
Latência em PassMark, ns
28
44
Velocidade de leitura, GB/s
11.8
13.0
Velocidade de escrita, GB/s
7.9
8.2
Largura de banda de memória, mbps
12800
12800
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1920
2069
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB Comparações de RAM
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB Comparações de RAM
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KC5N22-MIE 16GB
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Kingston KHX2133C14D4/8G 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston 9905598-028.A00G 8GB
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